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DIODES 場效應(yīng)管 DMN2046U-7 MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23

產(chǎn)品二維碼
參   考   價(jià): 54
訂  貨  量: ≥1臺
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:DMN2046U-7
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:絕緣柵雙極晶體管/IGBT
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2022-09-19 19:46:34
  • 瀏覽次數(shù):17

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其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1082條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時(shí)間:2016-03-09
  • 最近登錄:2022-09-19
  • 聯(lián)系人:劉總
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:DIODES型號:DMN2046U-7批號:20+封裝:SOT-23-3數(shù)量:30000QQ:制造商:DiodesIncorporated產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:SOT-23-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20VId-連續(xù)漏極電流:3

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:DIODES
型號:DMN2046U-7
批號:20+
封裝:SOT-23-3
數(shù)量:30000
QQ:
制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:3.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:72 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV
Qg-柵極電荷:3.8 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:760 mW
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
配置:Single
系列:DMN2046
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時(shí)間:34.1 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:25.1 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:69.1 ns
典型接通延遲時(shí)間:6.7 ns
單位重量:8 mg
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