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INFINEON 場(chǎng)效應(yīng)管 IRLML6401TRPBF MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl

產(chǎn)品二維碼
參   考   價(jià)： ￥ 55
訂  貨  量： ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：IRLML6401TRPBF
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：絕緣柵雙極晶體管/IGBT
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2022-09-19 18:00:17
  • 瀏覽次數(shù)：15

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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1082條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2016-03-09
  • 最近登錄：2022-09-19
  • 聯(lián)系人：劉總
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：INFINEON型號(hào)：IRLML6401TRPBF批號(hào)：20+封裝：SOT-23-3數(shù)量：30000QQ：制造商：InfineonTechnologies系列：HEXFET®FET類型：P通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：4.3A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（RdsOn

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：INFINEON
型號(hào)：IRLML6401TRPBF
批號(hào)：20+
封裝：SOT-23-3
數(shù)量：30000
QQ：
制造商：Infineon Technologies
系列：HEXFET®
FET 類型：P 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4.3A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（值）：50 毫歐 @ 4.3A，4.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（值）：950mV @ 250µA
Vgs（值）：±8V
功率耗散（值）：1.3W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：Micro3™/SOT-23
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
漏源電壓（Vdss）：12V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（值）：15nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（值）：830pF @ 10V
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