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北京首天偉業(yè)科技有限公司

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當(dāng)前位置：北京首天偉業(yè)科技有限公司>>晶體管>>其他晶體管>> DMP1022UFDF-7DIODES 場效應(yīng)管 DMP1022UFDF-7 MOSFET 12V P-Ch Enh Mode 19Vgs 2712pF 28.6nC

DIODES 場效應(yīng)管 DMP1022UFDF-7 MOSFET 12V P-Ch Enh Mode 19Vgs 2712pF 28.6nC

產(chǎn)品二維碼
參   考   價(jià)： ￥ 56
訂  貨  量： ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：DMP1022UFDF-7
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：絕緣柵雙極晶體管/IGBT
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2022-09-19 18:58:05
  • 瀏覽次數(shù)：44

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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1082條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2016-03-09
  • 最近登錄：2022-09-19
  • 聯(lián)系人：劉總
產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：DIODES
型號(hào)：DMP1022UFDF-7
批號(hào)：20+
封裝：U-DFN2020-F-6
數(shù)量：30000
QQ：
制造商：Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：U-DFN2020-F-6
晶體管極性：P-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：12 V
Id-連續(xù)漏極電流：6.6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：32 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：800 mV
Qg-柵極電荷：48.3 nC
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：730 mW
通道模式：Enhancement
配置：Single
系列：DMP10
晶體管類型：1 P-Channel
下降時(shí)間：147 ns
上升時(shí)間：39.8 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：141 ns
典型接通延遲時(shí)間：25.1 ns
單位重量：19.500 g
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