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SH全自動(dòng)抗干擾異頻介損測試儀上海廠家SH全自動(dòng)抗干擾異頻介損測試儀上海廠家

全自動(dòng)抗干擾異頻介損測試儀介紹：

PJSH全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是一種*的測量介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）的儀器，用于工頻高壓下，測量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗（tgδ）和電容容量（Cx）。它淘汰了QSI高壓電橋，具有操作簡單、中文顯示、打印、使用方便、無需換算、自帶高壓，抗力強(qiáng)， 測試時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)，是我廠的第三代智能化介質(zhì)損耗測試儀。

該全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是發(fā)電廠、變電站等現(xiàn)場或?qū)嶒?yàn)室測試各種高壓電力設(shè)備介損正切值及電容量的高精度測試儀器。儀器為一體化結(jié)構(gòu)，內(nèi)置介損測試電橋，可變頻調(diào)壓電源，升壓變壓器和SF6 高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器。測試高壓源由儀器內(nèi)部的逆變器產(chǎn)生，經(jīng)變壓器升壓后用于被試品測試。頻率可變?yōu)?5Hz或55Hz，55Hz或65Hz，采用數(shù)字陷波技術(shù)，避開了工頻電場對(duì)測試的干擾，從根本上解決了強(qiáng)電場干擾下準(zhǔn)確測量的難題。同時(shí)適用于全部停電后用發(fā)電機(jī)供電檢測的場合。該全自動(dòng)抗干擾介質(zhì)損耗測試儀配以絕緣油杯可測試絕緣油介質(zhì)損耗。

全自動(dòng)抗干擾異頻介損測試儀產(chǎn)品別稱：

介損測試儀、抗干擾介損測試儀、全自動(dòng)介損測試儀、異頻介損測試儀、異頻介質(zhì)損耗測試儀、抗干擾介質(zhì)損耗測試儀、全自動(dòng)介質(zhì)損耗測試儀、介質(zhì)損耗測試儀

1、超大液晶中文顯示

　儀器配備了大屏幕（105mm×65mm）中文菜單界面，屏顯分為左右兩部分，左邊為功能菜單區(qū)，右邊為相關(guān)狀態(tài)信息提示，每一步都非常清楚，操作人員不需要專業(yè)培訓(xùn)就能使用。一次操作，微機(jī)自動(dòng)完成全過程的測量，是目前非常理想的介損測量設(shè)備。

2、海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)

　儀器內(nèi)部配備有日歷芯片和大容量存儲(chǔ)器，能將檢測結(jié)果按時(shí)間順序保存，隨時(shí)可以查看歷史記錄，并可以打印輸出；

3、科學(xué)*的數(shù)據(jù)管理

　儀器數(shù)據(jù)可以通過RS232導(dǎo)出，可在任意一臺(tái)PC機(jī)上通過我公司軟件，查看和管理數(shù)據(jù)并可生成工作報(bào)告。

4、多種測試模式

　儀器能夠分別使用內(nèi)高壓、外高壓、內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)、外標(biāo)準(zhǔn)、正接法、反接法、自激法等多種方式測試；在外標(biāo)準(zhǔn)外高壓情況下可以做高電壓（大于10kV）介質(zhì)損耗。

5、CVT測試一步到位

　該儀器還可以測試全密封的CVT（電容式電壓互感器）C1、C2的介損和電容量，實(shí)現(xiàn)了C1、C2的同時(shí)測試。該儀器還可以測試CVT變比和電壓角差。

6、高速采樣信號(hào)

　儀器內(nèi)部的逆變器和采樣電路全部由數(shù)字化控制，輸出電壓連續(xù)可調(diào)。

7、多重保護(hù)安全可靠

儀器具備輸入電壓波動(dòng)、輸出短路、過壓、過流、溫度等多重保護(hù)措施，保證了儀器安全、可靠。儀器還具備接地檢測功能，確保不接地設(shè)備不允許升壓。

１．環(huán)境溫度：０～４0℃（液晶屏應(yīng)避免長時(shí)日照）

２．相對(duì)濕度：３0％～７0％

３．供電電源：電壓：２２０Ｖ±１0％，頻率：５0±１Ｈz

４．外形尺寸：長×寬×高＝490mm×300mm×390mm

５．重量：約18Ｋg

６．輸出功率：1ＫVA

７．顯示分辨率：４位

８．測量范圍：

介質(zhì)損耗（tgδ）：０-50％

電容容量（Cx）和加載電壓：

２.5ＫＶ檔：≤ ３00nＦ（ ３00000ｐＦ）

３ＫＶ檔：≤２00nＦ（ ２00000ｐＦ）

５ＫＶ檔：≤ ７6nＦ（ ７6000ｐＦ）

７.５ＫＶ檔：≤ ３4nＦ（ ３4000ｐＦ）

１０ＫＶ檔：≤ ２0nＦ（ ２0000ｐＦ）

９．基本測量誤差：

介質(zhì)損耗（tgδ）： １％±０.０7％（加載電流２０μＡ～５00ｍＡ）正接

介質(zhì)損耗（tgδ）： ２％±０.０9％（加載電流　５μＡ～２0μＡ）反接

電容容量 （ Cx）：１.５％±１.５pＦ