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當(dāng)前位置：上海芮創(chuàng)電子科技有限公司>>晶體管>>其他晶體管>> SI2319DS-T1-E3VISHAY/威世 場(chǎng)效應(yīng)管 SI2319DS-T1-E3 MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V

VISHAY/威世 場(chǎng)效應(yīng)管 SI2319DS-T1-E3 MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V

產(chǎn)品二維碼
參   考   價(jià)： ￥ 1
訂  貨  量： ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：SI2319DS-T1-E3
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：IGBT/模塊
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2022-11-27 10:06:11
  • 瀏覽次數(shù)：10

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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1180條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2022-11-26
  • 最近登錄：2022-11-26
  • 聯(lián)系人：肖煒鑫
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：VISHAY/威世型號(hào)：SI2319DS-T1-E3批號(hào)：封裝：數(shù)量：100000QQ：制造商：Vishay產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-23-3晶體管極性：P-Channel通道數(shù)量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：40VId-連續(xù)漏極電流：3

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：VISHAY/威世
型號(hào)：SI2319DS-T1-E3
批號(hào)：
封裝：
數(shù)量：100000
QQ：
制造商：Vishay
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：SOT-23-3
晶體管極性：P-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：40 V
Id-連續(xù)漏極電流： A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：82 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：1 V
Qg-柵極電荷：17 nC
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散： W
通道模式：Enhancement
配置：Single
高度： mm
長(zhǎng)度： mm
系列：SI2
晶體管類型：1 P-Channel
寬度： mm
正向跨導(dǎo) - 最小值：7 S
下降時(shí)間：25 ns
上升時(shí)間：15 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：25 ns
典型接通延遲時(shí)間：7 ns
零件號(hào)別名：SI2319DS-E3
單位重量：8 mg
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