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真空鍍膜垃圾吸附板 、不銹鋼陶瓷涂層加工、 鍍膜離子漂浮吸附 、耐高溫涂層、 爐壁陶瓷框架涂層。

真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)重要方面，它是以真空技術(shù)為基礎(chǔ)，利用物理或化學(xué)方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術(shù)，為科學(xué)研究和實(shí)際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝。簡(jiǎn)單地說，在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或?yàn)R射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。

，在某些材料的表面上，只要鍍上一層薄膜，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學(xué)性能。20世紀(jì)70年代，在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學(xué)鍍法。前者是通過通電，使電解液電解，被電解的離子鍍到作為另一個(gè)電極的基體表面上，因此這種鍍膜的條件，基體必須是電的良導(dǎo)體，而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學(xué)還原法，必須把膜材配制成溶液，并能迅速參加還原反應(yīng)，這種鍍膜方法不僅薄膜的結(jié)合強(qiáng)度差，而且鍍膜既不均勻也不易控制，同時(shí)還會(huì)產(chǎn)生大量的廢液，造成嚴(yán)重的污染。因此，這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。

真空鍍膜則是相對(duì)于上述的濕式鍍膜方法而發(fā)展起來的一種新型鍍膜技術(shù)，通常稱為干式鍍膜技術(shù)。

分類

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)。

物理氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)，或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程。物理氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材廣泛、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)，物理氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下，因此可作為最終的處理工藝用于高速鋼和硬質(zhì)合金類的薄膜刀具上。由于采用物理氣相沉積工藝可大幅度提高刀具的切削性能，人們?cè)诟?jìng)相開發(fā)高性能、高可靠性設(shè)備的同時(shí)，也對(duì)其應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展，尤其是在高速鋼、硬質(zhì)合金和陶瓷類刀具中的應(yīng)用進(jìn)行了更加深入的研究。

化學(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng)，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點(diǎn)的等

常用方法

真空鍍膜的方法很多，計(jì)有：

(1)真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達(dá)到約而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結(jié)而成薄膜。

(2)陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對(duì)面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi)，保持壓強(qiáng)約～，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發(fā)輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。

(3)化學(xué)氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物，獲得沉積薄膜的過程。

(4)離子鍍：實(shí)質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合，兼有兩者的工藝特點(diǎn)。表6-9列出了各種鍍膜方法的優(yōu)缺點(diǎn)。