| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特點(diǎn) | Standard |
| 漏極至源極電壓（VDSS） | 500V |
| 電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C | 20A |
| Rds（）@ ID，VGS | 270 mOhm @ 12A, 10V |
| VGS（TH）（）@ Id | 4V @ 250µA |
| 柵極電荷（Qg）@ VGS | 105nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）@ Vds的 | 3100pF @ 25V |
| 功率 - | 280W |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | TO-247-3 |
| 包裝材料 | Tube |
| 包裝 | 3TO-247AC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源電壓 | 500 V |
| 連續(xù)漏極電流 | 20 A |
| RDS -于 | 270@10V mOhm |
| 門源電壓 | ±30 V |
| 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 18 ns |
| 典型上升時(shí)間 | 55 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間 | 45 ns |
| 典型下降時(shí)間 | 39 ns |
| 工作溫度 | -55 to 150 °C |
| 安裝 | Through Hole |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | Bulk |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | Rail / Tube |
| 門源電壓 | ±30 |
| 包裝寬度 | (Max) |
| PCB | 3 |
| 功率耗散 | 280000 |
| 漏源電壓 | 500 |
| 歐盟RoHS指令 | Compliant |
| 漏源電阻 | 270@10V |
| 每個(gè)芯片的元件數(shù) | 1 |
| 工作溫度 | -55 |
| 供應(yīng)商封裝形式 | TO-247 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 | TO-247 |
| 工作溫度 | 150 |
| 渠道類型 | N |
| 包裝長度 | (Max) |
| 引腳數(shù) | 3 |
| 包裝高度 | (Max) |
| 連續(xù)漏極電流 | 20 |
| 標(biāo)簽 | Tab |
| 鉛形狀 | Through Hole |
| 單位包 | 25 |
| 最小起訂量 | 500 |
| FET特點(diǎn) | Standard |
| 封裝 | Tube |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C | 20A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （）@ Id | 4V @ 250µA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 | TO-247-3 |
| 其他名稱 | *IRFP460APBF |
| 開態(tài)Rds（）@ Id ，V GS | 270 mOhm @ 12A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 280W |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 500V |
| 輸入電容（Ciss ） @ VDS | 3100pF @ 25V |
| 閘電荷（Qg ） @ VGS | 105nC @ 10V |
| 封裝/外殼 | TO-247-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 類別 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | x x mm |
| 身高 | mm |
| 長度 | mm |
| 漏源電阻 | Ω |
| 工作溫度 | +150 °C |
| 功率耗散 | 280 W |
| 工作溫度 | -55 °C |
| 包裝類型 | TO-247AC |
| 典型柵極電荷@ VGS | 105 nC V @ 10 |
| 典型輸入電容@ VDS | 3100 pF V @ 25 |
| 寬度 | mm |
| 工廠包裝數(shù)量 | 500 |
| 產(chǎn)品種類 | MOSFET |
| 晶體管極性 | N-Channel |
| 源極擊穿電壓 | +/- 30 V |
| 連續(xù)漏極電流 | 20 A |
| 正向跨導(dǎo) - 閔 | 11 S |
| 安裝風(fēng)格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 270 mOhms |
| 功率耗散 | 280 W |
| 封裝/外殼 | TO-247AC |
| 柵極電荷Qg | 105 nC |
| 上升時(shí)間 | 55 ns |
| 漏源擊穿電壓 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降時(shí)間 | 39 ns |
| 漏極電流（值） | 20 A |
| 頻率（） | Not Required MHz |
| 柵源電壓（值） | ?30 V |
| 輸出功率（） | Not Required W |
| 噪聲系數(shù) | Not Required dB |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | ohm |
| 工作溫度范圍 | -55C to 150C |
| 極性 | N |
| 類型 | Power MOSFET |
| 元件數(shù) | 1 |
| 工作溫度分類 | Military |
| 漏極效率 | Not Required % |
| 漏源導(dǎo)通電壓 | 500 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 刪除 | Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :20A |
| Drain Source Voltage Vds | :500V |
| On Resistance Rds(on) | :270mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :280W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-247AC |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (19-Dec-2012) |
| Current Id Max | :20A |
| Junction to Case Thermal Resistance A | :°C/W |
| 工作溫度范圍 | :-55°C to +150°C |
| Pulse Current Idm | :80A |
| 端接類型 | :Through Hole |
| Voltage Vds | :500V |
| Voltage Vds Typ | :500V |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Voltage Vgs th Max | :4V |
所有評(píng)論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)。