技術(shù)參數(shù)
品牌: | ST |
型號(hào): | STW26NM60N |
批號(hào): | 21+ |
封裝: | TO-247 |
數(shù)量: | 20400 |
QQ: | |
制造商: | STMicroelectronics |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | Through Hole |
封裝 / 箱體: | TO-247-3 |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 600 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 20 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 165 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 10 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2 V |
Qg-柵極電荷: | 60 nC |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 140 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | mm |
長(zhǎng)度: | mm |
系列: | STW26NM60N |
晶體管類型: | 1 N-Channel Power MOSFET |
寬度: | mm |
下降時(shí)間: | 50 ns |
上升時(shí)間: | 25 ns |
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: | 85 ns |
典型接通延遲時(shí)間: | 13 ns |
單位重量: | 38 g |
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