技術(shù)參數(shù)
品牌: | ST |
型號: | STB70NF03LT4 |
批號: | 01+ |
封裝: | TO-263-3 |
數(shù)量: | 8000 |
QQ: | |
制造商: | STMicroelectronics |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | TO-263-3 |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 30 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 70 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 18 V |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 100 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | mm |
長度: | mm |
系列: | STB70NF03LT4 |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
寬度: | mm |
正向跨導(dǎo) - 最小值: | 25 S |
下降時間: | 25 ns |
上升時間: | 165 ns |
典型關(guān)閉延遲時間: | 21 ns |
典型接通延遲時間: | 22 ns |
單位重量: | 4 g |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見,與本站立場無關(guān)。