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越特電子科技(北京)有限公司

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當前位置:越特電子科技(北京)有限公司>>晶體管>>其他晶體管>> SI5855CDC-T1-E3VISHAY 場效應管 SI5855CDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

VISHAY 場效應管 SI5855CDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

產品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號:SI5855CDC-T1-E3
  • 品牌:
  • 產品類別:礦用防爆
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-10-03 22:36:03
  • 瀏覽次數:9

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越特電子科技(北京)有限公司

其他

  • 經營模式:其他
  • 商鋪產品:1128條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-08-28
  • 最近登錄:2023-08-28
  • 聯系人:朱小姐
產品簡介

技術參數品牌:VISHAY型號:SI5855CDC-T1-E3批號:10+封裝:SOT23-8數量:2470QQ:對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級(MSL):1(無限)類別:分立半導體產品產品族:晶體管-FET

詳情介紹


技術參數

品牌:VISHAY
型號:SI5855CDC-T1-E3
批號:10+
封裝:SOT23-8
數量:2470
QQ:
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級 (MSL):1(無限)
類別:分立半導體產品
產品族:晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列:LITTLE FOOT®
FET 類型:P 通道
漏源電壓(Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.7A(Tc)
驅動電壓( Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(值):144 毫歐 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(值):1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(值):6.8nC @ 5V
Vgs(值):±8V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(值):276pF @ 10V
FET 功能:肖特基二極管(隔離式)
功率耗散(值):1.3W(Ta),2.8W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
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