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IR 場(chǎng)效應(yīng)管 IRLML5103TRPBF MOSFET MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):IRLML5103TRPBF
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-10-04 10:24:24
  • 瀏覽次數(shù):10

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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1128條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊(cè)時(shí)間:2023-08-28
  • 最近登錄:2023-08-28
  • 聯(lián)系人:朱小姐
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:IR
型號(hào):IRLML5103TRPBF
批號(hào):1835+
封裝:SOT23
數(shù)量:2348
QQ:
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
晶體管極性:P-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:760 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:600 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Qg-柵極電荷:3.4 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:540 mW
通道模式:Enhancement
配置:Single
高度:1.1 mm
長(zhǎng)度:2.9 mm
晶體管類型:1 P-Channel
寬度:1.3 mm
正向跨導(dǎo) - 最小值:0.44 S
下降時(shí)間:16 ns
上升時(shí)間:8.2 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:23 ns
典型接通延遲時(shí)間:10 ns
單位重量:8 mg
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