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越特電子科技（北京）有限公司

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當(dāng)前位置：越特電子科技（北京）有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> IPD35N10S3L-26INFINEON 集成電路、處理器、微控制器 IPD35N10S3L-26 MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

INFINEON 集成電路、處理器、微控制器 IPD35N10S3L-26 MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：IPD35N10S3L-26
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-10-04 10:32:28
  • 瀏覽次數(shù)：14

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越特電子科技（北京）有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1128條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-08-28
  • 最近登錄：2023-08-28
  • 聯(lián)系人：朱小姐
產(chǎn)品簡介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：INFINEON
型號：IPD35N10S3L-26
批號：16+
封裝：TO-252
數(shù)量：2500
QQ：
制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：PG-TO-252-3
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：100 V
Id-連續(xù)漏極電流：35 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：24 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：1.2 V
Qg-柵極電荷：30 nC
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 175 C
Pd-功率耗散：71 W
配置：Single
通道模式：Enhancement
資格：AEC-Q101
高度：2.3 mm
長度：6.5 mm
系列：OptiMOS-T
晶體管類型：1 N-Channel
寬度：6.22 mm
下降時間：3 ns
上升時間：4 ns
典型關(guān)閉延遲時間：18 ns
典型接通延遲時間：6 ns
零件號別名：IPD35N10S3L26ATMA1 SP000386184 IPD35N1S3L26XT IPD35N10S3L26ATMA1
單位重量：4 g
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