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深圳市新美電子有限公司

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當前位置:深圳市新美電子有限公司>>集成電路>>PMIC/電池管理>> DMN3150L-7DIODES 場效應管 DMN3150L-7 MOSFET N-Channel

DIODES 場效應管 DMN3150L-7 MOSFET N-Channel

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:DMN3150L-7
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:PMIC/電池管理
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-10-17 13:21:42
  • 瀏覽次數(shù):8

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深圳市新美電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1047條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-10-17
  • 最近登錄:2023-10-17
  • 聯(lián)系人:汪賢良
產(chǎn)品簡介

技術參數(shù)品牌:DIODES型號:DMN3150L-7批號:19+封裝:SOT23-3數(shù)量:5000QQ:制造商:DiodesIncorporated產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:SOT-23-3通道數(shù)量:1Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30VId-連續(xù)漏極電流:3

詳情介紹


技術參數(shù)

品牌:DIODES
型號:DMN3150L-7
批號:19+
封裝:SOT23-3
數(shù)量:5000
QQ:
制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:3.8 A
Rds On-漏源導通電阻:54 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:620 mV
Qg-柵極電荷:8.2 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.4 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1 mm
長度:2.9 mm
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:DMN3150
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:1.3 mm
商標:Diodes Incorporated
正向跨導 - 最小值:3 S
下降時間:3.26 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:3.49 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:15.02 ns
典型接通延遲時間:1.14 ns
單位重量:29 mg
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