技術參數(shù)
品牌: | DIODES |
型號: | DMN3150L-7 |
批號: | 19+ |
封裝: | SOT23-3 |
數(shù)量: | 5000 |
QQ: | |
制造商: | Diodes Incorporated |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技術: | Si |
安裝風格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | SOT-23-3 |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 30 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 3.8 A |
Rds On-漏源導通電阻: | 54 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 10 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 620 mV |
Qg-柵極電荷: | 8.2 nC |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1.4 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
封裝: | Cut Tape |
封裝: | MouseReel |
封裝: | Reel |
高度: | 1 mm |
長度: | 2.9 mm |
產(chǎn)品: | MOSFET Small Signal |
系列: | DMN3150 |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
寬度: | 1.3 mm |
商標: | Diodes Incorporated |
正向跨導 - 最小值: | 3 S |
下降時間: | 3.26 ns |
產(chǎn)品類型: | MOSFET |
上升時間: | 3.49 ns |
工廠包裝數(shù)量: | 3000 |
子類別: | MOSFETs |
典型關閉延遲時間: | 15.02 ns |
典型接通延遲時間: | 1.14 ns |
單位重量: | 29 mg |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見,與本站立場無關。