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導波雷達發(fā)出的高頻微波脈沖沿著探測組件（鋼纜或鋼棒）傳播，遇到被測介質，由于介電常數(shù)突變，引起反射，一部分脈沖能量被反射回來。發(fā)射脈沖與反射脈沖的時間間隔與到被測介質的距離成正比。
容器中存在兩種不同介質，當上面一層的介質介電常數(shù)較小，而下面的介質介電常數(shù)較大時，高頻微波脈沖沿著探測組件傳播遇到上層介質時，由于其介電常數(shù)較小，因而有極少的能量被這一層介面反射，而大部分能量穿透上層介質繼續(xù)向下傳播，遇到兩層的介面時，由于下層介質的介電常數(shù)較大，因而會有較大的能量被反射回來。因而導波雷達是可以測量兩種不同介質的介面，其測量條件是上層介質不導電或其介電常數(shù)比下層介質介電常數(shù)小10以上。

特 點
由于采用了*的微波處理器和***特的EchoDiscovery回波處理技術，導波雷達物位計可以應用于各種復雜工況。
多種過程連接方式及探測組件的型式，使得CDGW系列導波雷達物位計適用于各種復雜工況。如：高溫、高壓及小介電常數(shù)介質等。
采用脈沖工作方式，導波雷達物位計發(fā)射功率極低，可安裝于各種金屬、非金屬容器內，對人體及環(huán)境均無傷害。

• 應用:液體測量,高溫高壓工況,復雜過程條件
  ***大量程： 纜：30m/棒：6m
  測量精度：±10mm
  過程連接：G1?A/G2A/1?NPT
  探測組件材料：不銹鋼316L/陶瓷
  鋼纜/棒直徑：￠6mm/￠10mm
  過程溫度：-200～400℃
  過程壓力：真空～400bar
  信號輸出：兩線制4～20mA/HART