一、特性
1、低待機(jī)電流 (小于 0.1uA)
2、低導(dǎo)通內(nèi)阻 MOSFET 功率開關(guān)管
— 采用 MOS 工藝設(shè)計功率管
— 1 通道 1.6 安功率管內(nèi)阻 0.36 歐姆
— 2 通道 1.6 安功率管內(nèi)阻 0.36 歐姆
3、內(nèi)部集成續(xù)流二極管
— 無需外接續(xù)流二極管
4、較小的輸入電流
— 集成約 12K 對地下拉電阻
— 3V 驅(qū)動信號平均 250uA 輸入電流
5、內(nèi)置帶遲滯效應(yīng)的過熱保護(hù)電路 (TSD)
6、抗靜電等級：3KV (HBM
二、概述
該產(chǎn)品采用 H 橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅(qū)動線圈、馬達(dá)等感性負(fù)載。 電路內(nèi)部集成 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET，工作電壓范圍覆蓋 2V 到 9.6V。27℃，VDD=6.5V，兩個通道同時工作的條件下，1 通道持續(xù)輸出電流達(dá)到 1.3A，峰值輸出電流達(dá)到 2.5A；2 通道持續(xù)輸出電流達(dá)到 1.3A，峰值輸出電流達(dá)到2.5A。 該電路為功率器件，本身具備一定內(nèi)阻，電路的發(fā)熱與負(fù)載電流、功率管導(dǎo)通內(nèi)阻以及環(huán)境溫度密切相關(guān)。電路設(shè)計有芯片級溫度檢測電路，實時監(jiān)控芯片內(nèi)部發(fā)熱，當(dāng)芯片內(nèi)部溫度超過設(shè)定值時，產(chǎn)生功率管關(guān)斷信號，關(guān)閉負(fù)載電流，避免因異常使用導(dǎo)致的溫度持續(xù)升高，進(jìn)而造成塑料封裝冒煙、 起火等嚴(yán)重事故。芯片內(nèi)置的溫度遲滯電路， 確保電路恢復(fù)到溫度后，才允許重新對功率管進(jìn)行控制。
三、應(yīng)用范圍
2-6 節(jié) AA/AAA 干電池供電的玩具馬達(dá)驅(qū)動
2-6 節(jié)鎳-氫/鎳-鎘充電電池供電的玩具馬達(dá)驅(qū)動
1-2 節(jié)鋰電池供電的馬達(dá)驅(qū)動
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