一、概述
該產(chǎn)品采用 H 橋電路結(jié)構(gòu)設計，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅(qū)動線圈、馬達等感性負載。電路內(nèi)部集成 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET，工作
電壓范圍覆蓋 8V到 28V。27℃，VM=24V 條件下 SOP8封裝持續(xù)輸出電流達到 0.55A，峰值輸出電流達到 1A，DIP8 封裝持續(xù)輸出電流達到 0.8A，峰值輸出電流達到 1.5A，ESOP8 封裝持續(xù)輸出電流達到 0.75A，峰值輸出電流達到 1.5A。
該單路為功率器件，本身具備一定內(nèi)阻，電路的發(fā)熱與負載電流、功率管導通內(nèi)阻以及環(huán)境溫度密切相關(guān)。電路設計有芯片級溫度檢測電路，實時監(jiān)控芯片內(nèi)部發(fā)熱，當芯片內(nèi)部溫度超過設定值時(典型值 150℃)，產(chǎn)生功率管關(guān)斷信號，關(guān)閉負載電流，避免因異常使用導致的溫度持續(xù)升高，進而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴重事故。芯片內(nèi)置的溫度遲滯電路，確保電路恢復到適合溫度后，才允許重新對功率管進行控制。
二、特性
? 低待機電流
? 低導通內(nèi)阻 MOSFET 功率開關(guān)管
— 采用 MOS 工藝設計功率管
— SOP8 封裝 12V 供電 500 毫安通道功率管內(nèi)阻 2.55 歐姆
— DIP8 封裝 12V 供電 500 毫安通道功率管內(nèi)阻 2.05 歐姆
— ESOP8 封裝 12V 供電 500 毫安通道功率管內(nèi)阻 1.8 歐姆
? 較小的輸入電流
— 集成約 11K 對地下拉電阻
— 5V 驅(qū)動信號平均 450uA 輸入電流
? 內(nèi)置帶遲滯效應的過熱保護電路 (TSD)
? 抗靜電等級：2KV (HBM)
三、應用范圍
? 直流風扇搖頭電機驅(qū)動
? 航模電機驅(qū)動
? 監(jiān)控設備步進電機驅(qū)動
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