一、特性
? 低待機電流 (小于 0.1uA)
? 低導通內阻 MOSFET 功率開關管
— 采用 MOS 工藝設計功率管
— 1 通道 1.6A 功率管內阻 0.4 歐姆
— 2 通道 1.6A 功率管內阻 0.4 歐姆
? 較小的輸入電流
— 集成約 15K 對地下拉電阻
— 3V 驅動信號平均 200uA 輸入電流
? 內置帶遲滯效應的過熱保護電路 (TSD)
? 抗靜電等級：4KV (HBM)
二、應用范圍
? 2-4 節(jié) AA/AAA 干電池供電的玩具馬達驅動
? 2-5 節(jié)鎳-氫/鎳-鎘充電電池供電的玩具馬達驅動
? 1-2 節(jié)鋰電池供電的馬達驅動
三、概述
該產品采用 H 橋電路結構設計，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅動線圈、馬達等感性負載。電路內部集成 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET，工作電壓范圍覆蓋 2V 到 8.6V。27℃，VDD=6.5V，兩個通道同時工作的條件下，1 通道持續(xù)輸出電流達到 1.3A，峰值輸出電流達到 3A；2 通道持續(xù)輸出電流達到1.3A，峰值輸出電流達到3A。
該電路為功率器件，本身具備一定內阻，電路的發(fā)熱與負載電流、功率管導通內阻以及環(huán)境溫度密切相關。電路設計有芯片級溫度檢測電路，實時監(jiān)控芯片內部發(fā)熱，當芯片內部溫度超過設定值時，產生功率管關斷信號，關閉負載電流，避免因異常使用導致的溫度持續(xù)升高，進而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴重事故。
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