一、概述:
該產(chǎn)品采用 H 橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計,采用高可靠性功率管工藝,特別適合驅(qū)動線圈、馬達等感性負(fù)載。電路內(nèi)部集成 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET,工作電壓范圍覆蓋 2V 到 8V。27℃,VCC=5V 條件下持續(xù)輸出電流達到1A,峰值輸出電流達到1.5A。
該單路為功率器件,本身具備一定內(nèi)阻,電路的發(fā)熱與負(fù)載電流、功率管導(dǎo)通內(nèi)阻以及環(huán)境溫度密切相關(guān)。電路設(shè)計有芯片級溫度檢測電路,實時監(jiān)控芯片內(nèi)部發(fā)熱,當(dāng)芯片內(nèi)部溫度超過設(shè)定值時(典型值 150℃),產(chǎn)生功率管關(guān)斷信號,關(guān)閉負(fù)載電流,避免因異常使用導(dǎo)致的溫度持續(xù)升高,進而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴(yán)重事故。芯片內(nèi)置的溫度遲滯電路,確保電路恢復(fù)到溫度后,才允許重新對功率管進行控制。
二、特性:
低待機電流 (小于 0.1uA)
1、低導(dǎo)通內(nèi)阻 MOSFET 功率開關(guān)管
— 采用 MOS 工藝設(shè)計功率管
— 800 毫安通道功率管內(nèi)阻 0.43 歐姆
— 200 毫安通道功率管內(nèi)阻 0.36 歐姆
2、 內(nèi)部集成續(xù)流二極管
— 無需外接續(xù)流二極管
3、 超小型封裝尺寸
— 采用 SOT23-6 封裝
— 含引腳外形尺寸 2.92mm*2.8mm
4、 較小的輸入電流
— 集成約 7K 對地下拉電阻
— 3V 驅(qū)動信號平均 420uA 輸入電流
5、內(nèi)置帶遲滯效應(yīng)的過熱保護電路 (TSD)
6、 抗靜電等級:3KV (HBM)
三、應(yīng)用范圍:
IR-CUT 驅(qū)動
電動玩具
步進電機驅(qū)動
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