一、特性
? 低待機(jī)電流 (小于 0.1uA)
? 低導(dǎo)通內(nèi)阻 MOSFET 功率開(kāi)關(guān)管
— 采用 MOS 工藝設(shè)計(jì)功率管
— 800 毫安通道功率管內(nèi)阻 0.4 歐姆
? 內(nèi)部集成續(xù)流二極管
— 無(wú)需外接續(xù)流二極管
? 超小型封裝尺寸
— 采用 SOT23-6 封裝
— 含引腳外形尺寸 2.92mm*2.8mm
? 較小的輸入電流
— 集成約 15K 對(duì)地下拉電阻
? 內(nèi)置帶遲滯效應(yīng)的過(guò)熱保護(hù)電路 (TSD)
? 抗靜電等級(jí)：3KV (HBM)
二、應(yīng)用范圍
? IR-CUT 驅(qū)動(dòng)
? 電動(dòng)玩具
? 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
三、概述
該產(chǎn)品采用 H 橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅(qū)動(dòng)線圈、馬達(dá)等感性負(fù)載。電路內(nèi)部集成 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET，工作電壓范圍覆蓋 2V 到 8V。27℃，VCC=6.5V 條件下持續(xù)輸出電流達(dá)到 1A，峰值輸出電流達(dá)到1.5A。
該單路為功率器件，本身具備一定內(nèi)阻，電路的發(fā)熱與負(fù)載電流、功率管導(dǎo)通內(nèi)阻以及環(huán)境溫度密切相關(guān)。電路設(shè)計(jì)有芯片級(jí)溫度檢測(cè)電路，實(shí)時(shí)監(jiān)控芯片內(nèi)部發(fā)熱，當(dāng)芯片內(nèi)部溫度超過(guò)設(shè)定值時(shí)(典型值 150℃)，產(chǎn)生功率管關(guān)斷信號(hào)，關(guān)閉負(fù)載電流，避免因異常使用導(dǎo)致的溫度持續(xù)升高，進(jìn)而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴(yán)重事故。芯片內(nèi)置的溫度遲滯電路，確保電路恢復(fù)到適合溫度后，才允許重新對(duì)功率管進(jìn)行控制。
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