技術參數(shù)
品牌: | TI |
型號: | CSD23280F3 |
批號: | 21+ |
封裝: | PICOSTAR-3 |
數(shù)量: | 30000 |
QQ: | |
制造商: | Texas Instruments |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技術: | Si |
安裝風格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | PICOSTAR-3 |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | P-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 12 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 1.8 A |
Rds On-漏源導通電阻: | 250 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 6 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 950 mV |
Qg-柵極電荷: | 950 pC |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 500 mW (1/2 W) |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
商標名: | PicoStar |
封裝: | Cut Tape |
封裝: | MouseReel |
封裝: | Reel |
高度: | 0.35 mm |
長度: | 0.73 mm |
系列: | CSD23280F3 |
晶體管類型: | 1 P-Channel |
寬度: | 0.64 mm |
商標: | Texas Instruments |
正向跨導 - 最小值: | 3 S |
下降時間: | 8 ns |
產(chǎn)品類型: | MOSFET |
上升時間: | 4 ns |
工廠包裝數(shù)量: | 3000 |
子類別: | MOSFETs |
典型關閉延遲時間: | 21 ns |
典型接通延遲時間: | 8 ns |
單位重量: | 0.300 mg |
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