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深圳市世芯源電子有限公司

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TI 場效應管 CSD23280F3 MOSFET A 595-CSD23280F3T

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:CSD23280F3
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:PMIC/穩(wěn)壓器/開關穩(wěn)壓器
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-12-03 18:48:34
  • 瀏覽次數(shù):12

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深圳市世芯源電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1064條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-12-03
  • 最近登錄:2023-12-03
  • 聯(lián)系人:黃鴻鎮(zhèn)
產(chǎn)品簡介

技術參數(shù)品牌:TI型號:CSD23280F3批號:21+封裝:PICOSTAR-3數(shù)量:30000QQ:制造商:TexasInstruments產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:PICOSTAR-3通道數(shù)量:1Channel晶體管極性:P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:12VId-連續(xù)漏極電流:1

詳情介紹


技術參數(shù)

品牌:TI
型號:CSD23280F3
批號:21+
封裝:PICOSTAR-3
數(shù)量:30000
QQ:
制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PICOSTAR-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:12 V
Id-連續(xù)漏極電流:1.8 A
Rds On-漏源導通電阻:250 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:6 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:950 mV
Qg-柵極電荷:950 pC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:PicoStar
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.35 mm
長度:0.73 mm
系列:CSD23280F3
晶體管類型:1 P-Channel
寬度:0.64 mm
商標:Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:3 S
下降時間:8 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:4 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:21 ns
典型接通延遲時間:8 ns
單位重量:0.300 mg
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