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深圳市世芯源電子有限公司

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DIODES 場(chǎng)效應(yīng)管 DMG1013UW-7 MOSFET P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):DMG1013UW-7
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類(lèi)別:TVS-二極管
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-12-03 18:52:00
  • 瀏覽次數(shù):29

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深圳市世芯源電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1064條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊(cè)時(shí)間:2023-12-03
  • 最近登錄:2023-12-03
  • 聯(lián)系人:黃鴻鎮(zhèn)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:DIODES
型號(hào):DMG1013UW-7
批號(hào):19+
封裝:
數(shù)量:9356
QQ:
制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-323-3
晶體管極性:P-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:820 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:750 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 6 V, + 6 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:500 mV
Qg-柵極電荷:622.4 pC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:310 mW
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
配置:Single
產(chǎn)品:MOSFET Small Signal
系列:DMG1013
晶體管類(lèi)型:1 P-Channel
商標(biāo):Diodes Incorporated
下降時(shí)間:20.7 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:8.1 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:28.4 ns
典型接通延遲時(shí)間:5.1 ns
單位重量:6 mg
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