技術(shù)參數(shù)
品牌: | Infineon(英飛凌) |
型號(hào): | IRF5305PBF |
封裝: | NA |
批次: | 21+ |
數(shù)量: | 15000 |
制造商: | Infineon |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | Through Hole |
封裝 / 箱體: | TO-220-3 |
晶體管極性: | P-Channel |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 55 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 31 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 60 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 4 V |
Qg-柵極電荷: | 42 nC |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 110 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
下降時(shí)間: | 63 ns |
正向跨導(dǎo) - 最小值: | 8 S |
高度: | 15.65 mm |
長度: | 10 mm |
上升時(shí)間: | 66 ns |
晶體管類型: | 39 ns |
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: | 14 ns |
典型接通延遲時(shí)間: | 4.4 mm |
寬度: | IRF5305PBF SP001564354 |
零件號(hào)別名: | 2 g |
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