技術(shù)參數(shù)
品牌: | ST(意法半導(dǎo)體) |
型號: | STF33N60M2 |
封裝: | NA |
批次: | 21+ |
數(shù)量: | 15000 |
制造商: | STMicroelectronics |
系列: | MDmesh™ II Plus |
FET 類型: | N 通道 |
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): | 26A(Tc) |
驅(qū)動(dòng)電壓( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(值): | 125 毫歐 @ 13A,10V |
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(值): | 4V @ 250µA |
Vgs(值): | ±25V |
功率耗散(值): | 35W(Tc) |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安裝類型: | 通孔 |
封裝/外殼: | TO-220-3 整包 |
漏源電壓(Vdss): | 600 V |
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(值): | 45.5 nC @ 10 V |
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(值): | 1781 pF @ 100 V |
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