技術(shù)參數(shù)
品牌: | Infineon(英飛凌) |
型號: | IRFH7932TRPBF |
封裝: | PQFN-8 |
批次: | 21+ |
數(shù)量: | 15000 |
制造商: | Infineon |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | PQFN-8 |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 30 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 104 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 3.9 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 20 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2.35 V |
Qg-柵極電荷: | 34 nC |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 3.4 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 1 mm |
長度: | 6 mm |
晶體管類型: | 1 N-Channel |
寬度: | 5 mm |
正向跨導(dǎo) - 最小值: | 59 S |
下降時間: | 20 ns |
濕度敏感性: | Yes |
上升時間: | 48 ns |
典型關(guān)閉延遲時間: | 23 ns |
典型接通延遲時間: | 20 ns |
零件號別名: | SP001556482 |
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