技術(shù)參數(shù)
品牌: | Infineon(英飛凌) |
型號: | IRF7316TRPBF |
封裝: | SO-8 |
批次: | 21+ |
數(shù)量: | 15000 |
制造商: | Infineon |
產(chǎn)品種類: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | SO-8 |
通道數(shù)量: | 2 Channel |
晶體管極性: | P-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 30 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 4.9 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 76 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 20 V |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 1 V |
Qg-柵極電荷: | 23 nC |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 2 W |
配置: | Dual |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 1.75 mm |
長度: | 4.9 mm |
晶體管類型: | 2 P-Channel |
寬度: | 3.9 mm |
正向跨導(dǎo) - 最小值: | 7.7 S |
下降時間: | 32 ns |
上升時間: | 13 ns |
典型關(guān)閉延遲時間: | 34 ns |
典型接通延遲時間: | 13 ns |
零件號別名: | SP001565294 |
單位重量: | 506.600 mg |
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