技術參數(shù)
| 品牌： | IR |
| 型號： | IRF7309TRPBF |
| 封裝： | SOP |
| 批號： | 2021+ |
| 數(shù)量： | 60000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SO-8 |
| 晶體管極性： | N-Channel, P-Channel |
| 通道數(shù)量： | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 4.7 A, 3.5 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 80 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 16.7 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.4 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Dual |
| 高度： | 1.75 mm |
| 長度： | 4.9 mm |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 寬度： | 3.9 mm |
| 單位重量： | 540 mg |
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