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CTM-1000電運(yùn)輸性質(zhì)測(cè)試系統(tǒng)

CTM-1000電運(yùn)輸性質(zhì)測(cè)試系統(tǒng)可以進(jìn)行霍爾效應(yīng)、R-H 特性、R-T 特性和 I-V 特性的測(cè)量， 可得出參數(shù)：方塊電阻、電阻率、霍爾系數(shù)、霍爾遷移率、載流子濃度和導(dǎo)電類型，可繪制以上參數(shù)隨溫度或磁場(chǎng)的變化曲線，以及 I-V 特性——不同磁場(chǎng)和不同溫度下的 I-V 特性曲線，R-H 特性——固定溫度，電阻隨著磁場(chǎng)變化的特性曲線，R-T 特性——固定磁場(chǎng)，電阻隨著溫度變化的特性曲線。

一、電輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量系統(tǒng)主要特點(diǎn):

電輸運(yùn)測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)試材料:

一、半導(dǎo)體材料：

二、 Si、Ge、GaAs、GaN、AlGaAs、CdTe、HgCdTe、CdTe、ZnO、SiC、GeSi、InP、MCT等，以及弱磁半導(dǎo)體和稀磁半導(dǎo)體的薄膜及塊材；

三、 鐵氧體材料；

四、 低阻抗材料：金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR材料等。

二、電輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量系統(tǒng)主要特點(diǎn):

1）標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)使用插入式樣品夾具，樣品安裝方便；

2）基本配置一次最多可以加裝四個(gè)樣品， 并同時(shí)可以對(duì)兩個(gè)樣品進(jìn)行測(cè)試；

3）標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)隨機(jī)配送一個(gè)探針樣品卡；

4）標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)可以進(jìn)行不同磁場(chǎng)下的霍爾效應(yīng)、I-V特性的測(cè)量；

5）電阻測(cè)量范圍寬：0.1mΩ—50GΩ（高阻系統(tǒng)），測(cè)量的不確定度為2%；

6）測(cè)試過程和計(jì)算過程由軟件自動(dòng)執(zhí)行，節(jié)省了大量的時(shí)間；

7）軟件可以顯示測(cè)量結(jié)果和測(cè)量曲線；

8）系統(tǒng)磁場(chǎng)采用閉環(huán)控制，可以提供高穩(wěn)定性的磁場(chǎng)， 同時(shí)解決了磁鐵剩磁問題，實(shí)現(xiàn)真正的零磁場(chǎng)；

9）選擇變溫選件，可以進(jìn)行不同溫度下的霍爾效應(yīng)測(cè)量和I-V特性測(cè)量。

二、主要技術(shù)參數(shù)：

一、物理學(xué)參數(shù)：

1.遷移率：1~1×106cm2/vs

2.載流子濃度：6×1012 ~ 6×1023cm-3

3.霍爾系數(shù)：±1×10-5 ~±1×106cm3/C

4.電阻率：5×10-9 ~ 5×102Ω·cm

二、電學(xué)參數(shù)

1.電阻：0.1mΩ ~ 10MΩ

2.電流源：±50pA~±1A(±1.05A@±21V, ±105mA@±210V)

3.電壓源：±5μV~±200V(±21V@±1.05A, ±210V@±105mA)

4.電流測(cè)量：±10pA~±1.05A（10pA 為最小分辨率）

5.電壓測(cè)量：±1nV~±100V（1nV 為最小分辨率）

三、液氮恒溫器

1.溫度范圍：80-500K；

2.控溫精度：±0.1K；

3.配合霍爾系統(tǒng)可進(jìn)行低溫霍爾測(cè)試；

4.配合控溫儀和軟件使用需具備線性掃溫功能；

四、控溫儀

1.一路控溫，控溫精度±0.1K；

2.一路加熱，加熱功率50w；

3.三檔加熱輸出，PID控溫；

4.可遠(yuǎn)程控制，帶Labview驅(qū)動(dòng)及溫度控制軟件；

5.與液氮恒溫器配套使用；

四、機(jī)械泵

1.配套機(jī)械泵，抽速4L/s；

2.配備波紋管、卡箍等所需真空附件；

與液氮恒溫器配套使用。