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深圳市新美電子有限公司

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ST 場效應(yīng)管 STGWA19NC60HD IGBT 晶體管 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號：STGWA19NC60HD
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：礦用防爆
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-10-17 14:52:52
  • 瀏覽次數(shù)：10

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深圳市新美電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1047條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-10-17
  • 最近登錄：2023-10-17
  • 聯(lián)系人：汪賢良
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：ST型號：STGWA19NC60HD批號：19+封裝：TO247數(shù)量：5000QQ：制造商：STMicroelectronics產(chǎn)品種類：IGBT晶體管RoHS：是技術(shù)：Si封裝/箱體：TO-247安裝風(fēng)格：ThroughHole配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：600V集電極—射極飽和電壓：1

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ST
型號：STGWA19NC60HD
批號：19+
封裝：TO247
數(shù)量：5000
QQ：
制造商：STMicroelectronics
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
RoHS：是
技術(shù)：Si
封裝 / 箱體：TO-247
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
集電極—發(fā)射極電壓 VCEO：600 V
集電極—射極飽和電壓：1.8 V
柵極/發(fā)射極電壓：20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流：52 A
Pd-功率耗散：208 W
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
系列：STGWA19NC60HD
封裝：Tube
商標：STMicroelectronics
柵極—射極漏泄電流：+/- 100 nA
產(chǎn)品類型：IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量：600
子類別：IGBTs
單位重量：6.500 g
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