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IR 場(chǎng)效應(yīng)管 IRF7311TRPBF MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):IRF7311TRPBF
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類(lèi)別:礦用防爆
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-10-17 16:33:43
  • 瀏覽次數(shù):27

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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1047條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊(cè)時(shí)間:2023-10-17
  • 最近登錄:2023-10-17
  • 聯(lián)系人:汪賢良
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌:IR型號(hào):IRF7311TRPBF批號(hào):19+封裝:SOP8數(shù)量:5000QQ:對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況:無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級(jí)(MSL):1(無(wú)限)類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)品族:晶體管-FET

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:IR
型號(hào):IRF7311TRPBF
批號(hào):19+
封裝:SOP8
數(shù)量:5000
QQ:
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況:無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí) (MSL):1(無(wú)限)
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
系列:HEXFET®
FET 類(lèi)型:2 N-通道(雙)
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源電壓(Vdss):20V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):6.6A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(值):29 毫歐 @ 6A,4.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(值):700mV @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(值):27nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(值):900pF @ 15V
功率 - 值:2W
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
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