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ST 場(chǎng)效應(yīng)管 STF23NM60N 通孔 N 通道 600 V 19A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：STF23NM60N
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：礦用防爆
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-10-17 18:00:57
  • 瀏覽次數(shù)：9

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深圳市新美電子有限公司

其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1047條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-10-17
  • 最近登錄：2023-10-17
  • 聯(lián)系人：汪賢良
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：ST型號(hào)：STF23NM60N批號(hào)：19+封裝：TO-220數(shù)量：5000QQ：類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ST
型號(hào)：STF23NM60N
批號(hào)：19+
封裝：TO-220
數(shù)量：5000
QQ：
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
制造商：STMicroelectronics
系列：MDmesh™ II
FET 類型：N 通道
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：19A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（值）：180 毫歐 @ 9.5A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（值）：4V @ 250µA
Vgs（值）：±25V
功率耗散（值）：35W（Tc）
工作溫度：150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 整包
漏源電壓（Vdss）：600 V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（值）：60 nC @ 10 V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（值）：2050 pF @ 50 V
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