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BKTEM-B2薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)

關(guān)鍵詞：薄膜熱電，賽貝克系數(shù)，Seebeck，四線法

為解決日益緊迫的能源危機(jī)，太陽能、風(fēng)能、核能等多種新能源不斷被開發(fā)利用。新能源的使

用需要優(yōu)質(zhì)的節(jié)能材料。

利用熱電材料制成的制冷和發(fā)電系統(tǒng)，具有體積小、重量輕、無任何機(jī)械噪音、不造成任何環(huán)

境污染等眾多優(yōu)點(diǎn)。因此對熱電材料的研究非常重要。為了進(jìn)一步提高熱電材料的轉(zhuǎn)化效率（熱電

優(yōu)值），對其研究從塊體慢慢轉(zhuǎn)移到薄膜材料。

技術(shù)原理

動(dòng)態(tài)法：測量 Seebeck 系數(shù)

在待測溫場下給樣品兩端加一個(gè)連續(xù)變化的微小溫差，通過記錄樣品兩端溫差和熱電勢的變化，

然后將溫差和熱電勢擬合成一條直線，直線斜率即為該材料在該溫場下的 Seebeck 系數(shù)。

采用四線法測量電阻率。 硬件特點(diǎn)

 專門針對薄膜材料的 Seebeck 系數(shù)和電阻率測量。

 采用動(dòng)態(tài)法測量 Seebeck 系數(shù),避免了靜態(tài)測量在溫差測量上的系統(tǒng)誤差,測量更準(zhǔn)確。

 采用四線法測量電阻率，測量更加穩(wěn)定可靠。

薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)

技術(shù)原理

動(dòng)態(tài)法：測量 Seebeck 系數(shù)

在待測溫場下給樣品兩端加一個(gè)連續(xù)變化的微小溫差，通過記錄樣品兩端溫差和熱電勢的變化，

然后將溫差和熱電勢擬合成一條直線，直線斜率即為該材料在該溫場下的 Seebeck 系數(shù)。

采用四線法測量電阻率。 硬件特點(diǎn)

專門針對薄膜材料的 Seebeck 系數(shù)和電阻率測量。

采用動(dòng)態(tài)法測量 Seebeck 系數(shù),避免了靜態(tài)測量在溫差測量上的系統(tǒng)誤差,測量更準(zhǔn)確。

采用四線法測量電阻率，測量更加穩(wěn)定可靠。

1. 實(shí)現(xiàn)功能：在室溫溫場下可同步測量Seebeck系數(shù)和電阻率；

2. 電勢測量：采集系統(tǒng)采用商業(yè)高分辨數(shù)字萬用表；

3. 溫差測量：溫差精度控制：+/-0.1K，控溫速率：0.02–50K/min；溫差控制：0-80K ；

4. Seebeck系數(shù)和電阻測量方法：Seebeck系數(shù)-靜態(tài)直流法, 多溫差法，電阻率-四端法；

5. Seebeck系數(shù)測量范圍和分辨率：1μV/K-25V/K；測量分辨率：10nV/K；

6. 電阻率測量范圍和分辨率：0.2μOhmm-2.5Ohmm；測量分辨率：10nOhmm；

7. 測量精度：Seebeck 系數(shù) : +/- 7%，電阻率 : +/- 10%；

8. 樣品尺寸：直徑或正方形 6-12mm，長度6-22mm，正反面電極均可；

9. 探頭測試間距：6, 8 mm，任選一種；

10. 外接電源：單相220V ，50Hz；