技術參數(shù)
| 品牌： | onsemi(安森美) |
| 型號： | FQD12N20LTM |
| 封裝： | D-PAK |
| 批次： | 20+ |
| 數(shù)量： | 5000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 200 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 9 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 280 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.5 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 2.39 mm |
| 長度： | 6.73 mm |
| 系列： | FQD12N20L |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 6.22 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 11.6 S |
| 下降時間： | 120 ns |
| 上升時間： | 190 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 60 ns |
| 典型接通延遲時間： | 15 ns |
| 零件號別名： | FQD12N20LTM_NL |
| 單位重量： | 260.370 mg |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關。