技術(shù)參數(shù)
品牌: | onsemi(安森美) |
型號(hào): | FDB33N25TM |
封裝: | D-PAK |
批次: | 20+ |
數(shù)量: | 5000 |
制造商: | ON Semiconductor |
產(chǎn)品種類(lèi): | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
封裝 / 箱體: | TO-263-3 |
通道數(shù)量: | 1 Channel |
晶體管極性: | N-Channel |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 250 V |
Id-連續(xù)漏極電流: | 33 A |
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 94 mOhms |
Vgs - 柵極-源極電壓: | 30 V |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 235 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 4.83 mm |
長(zhǎng)度: | 10.67 mm |
系列: | FDB33N25 |
晶體管類(lèi)型: | 1 N-Channel |
寬度: | 9.65 mm |
下降時(shí)間: | 120 ns |
上升時(shí)間: | 230 ns |
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: | 75 ns |
典型接通延遲時(shí)間: | 35 ns |
單位重量: | 1.312 g |
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