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廈門上得元科技有限公司

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FDC638P 場(chǎng)效應(yīng)管 ON 封裝SOT23-6 批次20+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：FDC638P
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：礦用防爆
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-12-03 10:00:38
  • 瀏覽次數(shù)：12

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廈門上得元科技有限公司

其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：131條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-12-03
  • 最近登錄：2023-12-03
  • 聯(lián)系人：徐小姐
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：ON型號(hào)：FDC638P封裝：SOT23-6批次：20+數(shù)量：5000制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：SSOT-6通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續(xù)漏極電流：4

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON
型號(hào)：FDC638P
封裝：SOT23-6
批次：20+
數(shù)量：5000
制造商：ON Semiconductor
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：SSOT-6
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：20 V
Id-連續(xù)漏極電流：4.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：48 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：12 V
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.6 W
配置：Single
通道模式：Enhancement
高度：1.1 mm
長(zhǎng)度：2.9 mm
系列：FDC638P
晶體管類型：1 P-Channel
寬度：1.6 mm
正向跨導(dǎo) - 最小值：15 S
下降時(shí)間：9 ns
上升時(shí)間：9 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：33 ns
典型接通延遲時(shí)間：9 ns
零件號(hào)別名：FDC638P_NL
單位重量：30 mg
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